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넥센타이어, 서울 마곡에 중앙R&D센터 건립...글로벌 4대거점 완성

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Tuesday, April 30, 2019, 15:04:39

2년간 2000억원 투입..“업계 패러다임 바꾸는 중추적 역할 수행할 것”

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ 넥센타이어는 글로벌 R&D(연구개발)의 중심이 될 ‘더 넥센 유니버시티’를 서울 마곡 산업단지에 건립했다고 30일 밝혔다. 중앙연구소를 세운 넥센타이어는 유럽 및 미국 R&D 센터와 체코공장에 이은 글로벌 4대 거점을 완성했다.

 

약 2년여 간 총 2000억원이 투입된 ‘더 넥센 유니버시티’는 연면적 5만 7171㎡, 지하 2층 지상 8층 규모로 지어졌다. 서울 마곡 산업단지에 들어선 새로운 중앙연구소는 연구동과 사무동을 포함한 2개의 동으로 구성된다.

 

이날 열린 준공식에는 강병중 넥센그룹 회장, 강호찬 부회장, 손경식 한국경영자총협회 회장, 강호갑 한국중견기업연합회 회장 등을 비롯해 넥센중앙연구소 임직원 등 300여 명이 참석했다.

 

더 넥센 유니버시티는 업무공간을 집중과 협업에 최적화된 오픈 이노베이션 공간으로 구성한 것이 특징이다. 이를 통해 임직원들이 수평적이고 자유로운 분위기에서 창의적인 업무를 할 수 있을 것으로 기대된다.

 

특히 OE/RE 제품 설계를 비롯해 AI(인공지능) 기술 및 가상 타이어 기법 연구를 통해 최적의 성능을 구현 하는 연구개발센터, 타이어와 차량의 매칭 성능을 연구하는 성능연구센터도 갖췄다.

 

뿐만 아니라 고무 및 다양한 재료 소재의 나노영역과 매크로 영역을 연구하는 재료연구센터 등 다양한 연구 시설을 갖춰 차세대 기술력 강화의 기틀을 마련했다. 이를 통해 국내 및 글로벌 완성차 업체의 까다로운 요구 사항과 급변하는 시장에 발 빠르게 대응해 R&D 역량을 키우겠다는 계획이다.

 

또한 더 넥센 유니버시티는 한국에 위치한 양산기술연구소 및 창녕기술연구소, 독일의 유럽기술연구소, 체코기술연구소, 미국기술연구소, 중국기술연구소를 통합 관리하는 연구개발의 허브 역할도 담당하게 된다.

 

친환경 설계로 지어진 이 건물은 옥상 녹화에 의한 열 손실 저감, 태양광 발전 시스템, 지열을 이용한 냉난방 설비 등을 갖춰 건축물 에너지효율등급 1등급을 받았다. 건물 외부에는 타이어 트래드 문양을 형상화해 업의 특성을 나타냈다.

 

강호찬 넥센타이어 부회장은 “이곳 중앙연구소는 세계 그 어떤 기업보다 빠르게 성장해 온 넥센의 성장 DNA와 정체성이 결집된 곳”이라며 “업계의 패러다임을 바꾸고 움직임의 가치를 높여나가는 글로벌 넥센의 중추적 역할을 수행하게 될 것” 이라고 말했다.

 

한편 올해 창립 77주년을 맞은 넥센타이어는 중앙연구소 건립을 통해 글로벌 4대 거점을 완성했다. 지난해 유럽과 미국 R&D 센터의 신축 확장에 이어 체코 공장 가동, 마곡 중앙연구소 건립까지 미래 성장을 위한 인프라를 구축하게 됐다.

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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