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5G ‘초고주파-전자파’ 표준, 세계 최초로 제안한 두 남자

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Tuesday, April 09, 2019, 16:04:29

삼성전자, 5G 상용화 숨은 조력자 우정수·권혁춘 씨..삼성리서치 표준리서치팀서 근무
최근 과학기술정보통신부 장관 표창 수상..5G 신규 서비스·단말기·차세대 통신 연구

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ “5G는 전에 이동통신으로 사용된 적이 없는 초고주파를 이용하기 때문에 무에서 유를 창조하는 것과 같았습니다.”

 

5G 상용화의 첫 발을 내딛었다. 앞서 1세대(1G)~4세대(LTE)는 단계적으로 통신기술이 발전하는 과정으로 이해하면 되지만, 5G는 달랐다. 기존 6GHz 이하 저주파 외에 5G는 밀리미터파(mmWave)라 불리는 초고주파를 사용해 초고속, 대량연결이 가능한 특징이 있다. 

 

통신사에서 5G 시대를 맞이해 동영상, AR, VR 등 다양한 콘텐츠를 선보이고, 실시간으로 여러 개의 동영상을 띄어놓고, 여러 각도에서 볼 수 있는 것도 이같은 이유에서다. 

 

5G는 불과 10년 전만에도 용어 조차 생소했다. 하지만, 전자업계는 이때부터 5G 국제 표준화를 위한 작업을 시작됐다. 기업의 5G 기술 표준화를 바탕으로 정부 주도의 ‘공적 표준(de jure standard)’을 이뤄야 비로소 5G 주파수(ITU-R)·전자파(IEC) 표준화가 성립된다. 

 

9일 삼성전자 뉴스룸은 산업계·정부와의 긴밀한 협력이 필요한 5G 주파수·전자파 국제 표준화를 이뤄낸 삼성리서치 표준리서치팀의 우정수·권혁춘 씨와 인터뷰를 진행했다. 두 사람은 5G 국제 표준화를 이뤄낸 공로로 최근 과학기술정보통신부 장관 표창을 받았다. 

 

5G의 기술 표준화가 자동차를 만드는 것과 같다면, 주파수·전자파 표준화는 자동차가 달리는 도로를 선정하고 해당 교통 규칙을 만드는 셈이다. 삼성전자는 2009년부터 28GHz라는 최적의 5G용 초고주파 대역을 발굴해 국제 표준화와 상용화 작업을 병행해 왔다.

 

 

우정수 씨는 “회사와 연구원들이 업계에서 가장 앞서 28GHz 발굴과 국제 표준화를 추진하는 과정에서 고생도 많이 했지만, 값진 경험도 할 수 있었다”고 회상했다.

 

28GHz 초고주파 대역은 지난해 국제 표준화와 함께 한국, 미국 등에서 5G 상용서비스를 위한 주파수로 채택이 된 상태다. 하지만, 그 과정은 순탄치 않았다.

 

초고주파 관련 기술 개발 외에도 ▲ 28GHz를 위성 등 이미 다른 용도로 쓰고 있는 국가들의 견제▲ 초창기 5G 서비스에 대한 무관심 등 장애물이 만만치 않았기 때문이다. 우정수 씨는 위기가 닥칠때마다 “오뚝이처럼 계속해서 일어났다”고 강조했다. 

 

결국 28GHz 대역 활용은 초고주파 기술이 나온 후 9년에 걸친 세 번째 도전 만에 ITU-R의 최종 승인을 앞두고 있다. 

 

두 사람이 몸담고 있는 삼성리서치 표준리서치팀은 5G보다 더 먼 미래를 준비하고 있다. 5G 신규 서비스와 단말기는 물론 차세대 통신 연구도 박차를 가하고 있는 것. 

 

우정수 씨는 “5G 고도화 주파수 표준은 물론 차세대 통신 서비스에 대한 주파수 표준 준비에도 나서고 있다”며 “정부 정책과 관련된 새로운 주파수 대역 확보와 국제 표준화는 세계 각국이 처한 상황과 맞물려 다년간에 걸친 시일이 필요한 만큼, 미래를 내다보며 연구 활동에 힘쓰고 있다”고 말했다.

 

권혁춘 씨는 “5G 서비스 본격화와 함께 지금껏 보지 못했던 차세대 통신 서비스가 복잡다단한 단말기들을 통해 출현할 전망”이라며 “이들에 대한 전자파 측정 방법에 대해 연구를 지속할 뿐만 아니라, 미래 기술에 대한 대응 역시 선제적으로 나설 것”이라고 힘줘 말했다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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