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GC녹십자 ‘헌터증후군’ 치료제, 日제약사에 기술수출

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Thursday, April 04, 2019, 14:04:55

‘헌터라제 ICV’, 뇌실 투여 제형..기존 정맥주사 제형 한계 극복 전망
日 클리니젠社, 헌터라제 ICV의 일본 內 개발·상업화 독점 권리 획득

인더뉴스 김진희 기자ㅣ GC녹십자가 일본의 한 제약사에 ‘헌터라제 ICV(intracerebroventricular)’ 기술수출을 체결했다. ‘헌터라제 ICV’는 기존에 없던 뇌실 투여 제형으로, 기존 정맥주사 제형의 한계를 극복할 수 있으리란 전망이다.
 
4일 GC녹십자는 어제(3일) 일본 클리니젠(Clinigen K.K.)사와 뇌실투여 방식의 헌터증후군 치료제 ‘헌터라제 ICV’에 대한 기술수출 계약을 체결했다고 밝혔다. 클리니젠은 영국에 본사를 둔 제약사로, 특수의약품 상업화에 주력중이다. 현재 일본을 포함한 전세계 11곳에 지사를 두고 있다.

 

이번 계약에 따라 일본 클리니젠은 일본 내 ‘헌터라제 ICV’의 개발과 상업화에 대한 독점적 권리를 갖게 된다. GC녹십자는 상업화 이후 판매 수익에 대한 로열티를 받게 되며, 계약금과 마일스톤은 양사간 합의에 따라 비공개다.

 

헌터증후군은 IDS(Iduronate-2-sulfatase) 효소 결핍으로 골격 이상, 지능 저하 등이 발생하는 선천성 희귀질환이다. 남자 어린이 10만~15만 명 중 1명 비율로 발생하며, 국내에 70여명, 일본에 150여명을 포함해, 전 세계적으로 약 2000여명이 해당 질환을 앓고 있는 것으로 추정된다.

 

‘헌터라제 ICV’는 머리에 디바이스를 삽입해 약물을 뇌실에 직접 투여하는 새로운 방식의 제형이다. 상업화가 완료되면 뇌실 투여 방식으로는 세계 최초의 헌터증후군 치료제가 된다. 특히, 뇌실 투여 제형은 헌터증후군의 미충족 수요(unmet need)에 대한 치료 옵션 확보 차원에서 의미가 크다.

 

뇌실 투여 제형은 약물이 뇌혈관장벽(BBB, Blood Brain Barrier)을 투과하지 못해 지능 저하 증상을 개선하지 못하는 기존 정맥주사 제형의 한계를 극복할 수 있어, 헌터증후군 중증 환자의 삶의 질이 크게 개선될 것으로 기대되기 때문.

 

실제로 일본에서 실시한 ‘헌터라제 ICV’ 임상 1/2상에서, 지능 저하를 일으키는 핵심 물질인 ‘헤파란황산(HS, Heparan sulfate)’이 크게 감소하는 것으로 나타났다. 이 임상은 일본 국립성육의료연구센터의 오쿠야마 토라유키(Okuyama Torayuki)  교수가 연구자 주도로 진행했다.

 

나카무라 요시카즈(Nakamura Yoshikazu) 일본 클리니젠 대표이사 사장은 “이번 GC녹십자와의 제휴를 통해 일본 내 헌터증후군 환자들에게 혁신적인 치료법을 제공할 수 있게 된 점이 무엇보다 의미가 깊다”며 “이 제품이 환자들의 삶의 큰 변화를 줄 것을 기대한다”고 말했다.

 

일본 클리니젠은 뇌기능을 개선하는 형태의 헌터증후군 치료제 시장 선점을 위해 올해 안에 일본에 허가 신청을 진행할 계획이다. 

 

허은철 GC녹십자 사장은 “클리니젠과의 이번 파트너십을 통해 헌터라제의 가치와 경쟁력을 더욱 높이게 돼 기쁘다”며 “새로운 치료 환경과 기회를 제공함으로써 환자들의 삶의 실질적인 변화를 만들기 위한 우리의 노력은 계속될 것”이라고 강조했다. 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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