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금융위 “카드수수료 협상, 위법행위 적발시 형사고발”

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Tuesday, March 19, 2019, 17:03:06

“카드사·가맹점 협상 마무리되면 세부 방안 검토”

 

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 최근 카드사와 대형가맹점 간 카드수수료 협상을 두고 갈등이 끊이지 않는 상황을 두고 금융위원회가 모니터링 후 위법사항이 있으면 엄중조치할 것이라는 입장을 내놨다. 세부적인 검토는 카드사와 가맹점 간 협상이 마무리되는 시점이 될 전망이다.

 

금융위는 이같은 내용을 골자로 오늘(19일) 오후 서울정부청사에서 대형가맹점 카드수수료율 산정 관련 설명을 위한 브리핑을 열었다.

 

이 자리에서 윤창호 금융위 금융산업국장은 “현 여신전문금융법상 수수료율 협상은 자율적 합의를 통해 해결이 원칙”이라면서도 “추후에 카드수수료 적용실태 점검 등을 통해 위법사항이 확인되는 경우에는 엄중조치 예정”이라고 말했다.

 

여전법상 대형가맹점이 거래상 우월적 지위를 이용해 부당하게 낮은 수수료율을 요구했을 경우 징역 1년 또는 벌금 1000만원을 받게 된다. 부당하게 보상금 등 대가를 요구 또는 수수했을 경우에는 징역 5년 또는 벌금 3000만원에 처한다.

 

반대로 카드사가 대형가맹점에 부당한 보상금을 제공했을 경우에는 징역 5년 또는 벌금 3000만원을 받게 된다. 이와 함께 위법을 저지른 기업은 그 기록이 다른 사업의 인허가에서 결격사유가 돼 향후 경영활동에 어려움을 겪을 수 있다고 윤 국장은 설명했다.

 

수수료율 협상 관련 금융당국의 본격적인 검토시기는 카드사와 가맹점 간 협상이 모두 종료되는 시점에 진행될 예정이다. 윤 국장은 “현대차 관련해서도 모니터링은 하고 있으나 아직 내부자료 등은 요청하지 않았다”며 “세부적인 검토는 모든 수수료율 협상이 마무리 된 후 진행될 것”이라고 말했다.

 

정부의 무리한 우대수수료 확대로 이런 사태가 벌어졌다는 지적에 대해선 “수익자 부담원칙을 통해 일반가맹점과 대형가맹점 간 수수료 역진성을 바로잡기위한 것”이라며 “영세·중소가맹점들의 카드 수수료 인하와 대형가맹점 수수료 인상조치와는 무관하다”고 적극 해명했다.

 

또한 대형가맹점의 협상력에 밀려 결국 카드수수료 역진성 해소에 실패한 것 아니냐는 지적도 해명에 나섰다.

 

그는 “연매출액 30억원 초과 500억원 이하 일반가맹점에 대해서는 마케팅비용률 산정방식 개선을 통해 종전 2.26~2.27% 수준의 수수료율을 평균 1% 후반~2% 초반으로 조정되도록 유도했다”며 “특정 대형가맹점의 수수료율 결과치만으로 역진성 해소 여부를 판단하는 것은 적절치 않다”고 말했다.

 

한편, 최근 카드사 노조에서 주장하는 ‘수수료율 하한제’에 대해서는 조심스러운 입장을 내비쳤다. 윤 국장은 “수수료율은 시장에 맡기는 게 맞다고 본다”며 “정부차원에서 가격의 하한을 정하는 것은 신중하게 생각할 문제”라고 말했다.

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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