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넥슨, 사상 최대 연매출·영업이익 달성...‘던파·메이플’ 덕분

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Tuesday, February 12, 2019, 17:02:24

2018년 연간 실적 약 2조 5801억원·영업이익 약 1조 7억원..4분기 매출·영업이익은 전년比 감소

인더뉴스 주동일 기자ㅣ 글로벌 게임업체 넥슨(대표이사 Owen Mahoney 오웬 마호니)이 2018년 4분기·연간 연결 실적을 발표했다. 연간기준 사상 최대 매출과 영업이익이다.

 

넥슨은 2018년 연간 실적 약 2조 5801억원 (2537억엔)으로 2017년보다 8% 증가했다고 12일 밝혔다. 영업이익은 1조 7억원 (984억엔)으로 9% 증가했다. 순이익은 90%증가한 1조 953억원 (1077억엔)을 달성했다. 연간기준으로 PC와 모바일 매출 모두 사상 최대 성과를 달성했다.

 

반면 2018년 4분기 매출과 영업이익은 전년 보다 줄어든 것으로 나타났다. 4분기 매출은 약 4688억원으로 13% 감소했다. 영업이익과 순이익은 각각 약 396억·661억원을 기록했다. 넥슨은 이같은 성과가 넷게임즈 인수 시 발생한 손상차손의 영향이라고 분석했다.

 

넥슨은 2019년 1분기 예상 매출이 약 8105억~8888억원 범위 안에 들 것으로 전망했다. 2018년 1분기보다 3~12% 줄어든 수치다. 예상 영업이익은 약 4139억~4820억원 정도로 예상했다. 예상 순이익 전망은 약 3854억~4442억원이다.

 

넥슨은 연간 실적이 주요 타이틀의 성장 덕분이라고 분석했다. 넥슨의 대표적인 주요 타이틀인 ‘메이플스토리’와 ‘메이플스토리M’은 여름 기간 업데이트 이후 한국 지역 매출이 각각 67%·81% 성장했다. 글로벌 시장 전체에서는 6배 성장률을 기록했다.

 

서비스 15년을 맞은 오래된 게임임에도 메이플스토리는 국내 PC방 점유율 상위 10개 게임 안에 15년째 들고 있다. ‘메이플스토리2’ 역시 지난해 10월 서구권 시장에서 서비스 개시 8일 만에 100만 가입자를 돌파하고 게임 서비스 플랫폼 스팀의 ‘탑셀러(Top Seller)’에 올랐다.

 

또 다른 주요 타이틀로 ‘던전앤파이터’를 들 수 있다. 중국 지역에서 서비스 10주년을 맞은 던전앤파이터는 3년 연속 두 자릿수 성장률을 달성했다. 특히 해당 게임을 서비스하고 있는 텐센트는 넥슨코리아의 자회사 네오플에 연간 1조원이 넘는 로열티를 주고 있다.

 

북미시장에서도 일부 타이틀이 호실적을 견인해 큰 성장률을 기록했다. 픽셀베리 스튜디오의 대화형 스토리텔링 게임 ‘초이스’·‘메이플스토리M’·신규액션 RPG ‘다크어벤저 3(현지 서비스명 Darkness Rises)’ 등이 그 예다. 

 

한편 넥슨은 대표작 ‘던전앤파이터’ IP를 활용한 모바일 게임과 함께 언리얼 엔진4 기반으로 개발 중인 PC 온라인 3D 액션 RPG를 공개할 예정이다. 앞으로도 라인업을 지속적으로 강화해 나갈 계획이다.

 

오웬 마호니 넥슨(일본법인) 대표이사는 “앞으로 자사 IP 기반 신규 콘텐츠에 지속 투자하고 AI·가상세계 등 게임 개발과 플레이 경험 측면에서 혁신적이고, 유저의 몰입도를 높이기 위한 첨단 기술들을 도입 발전시켜 나갈 것”이라고 말했다.

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주동일 기자 jdi@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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