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해외여행 中 신용카드 사용할 때 유의할 점은?

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Thursday, January 31, 2019, 12:01:00

금감원, ‘해외에서 신용카드 이용 유의사항’ 발표..해외원화결제서비스 차단·결제알림서비스 신청 등

 

인더뉴스 김현우 기자ㅣ #. 해외 여행지에서 쇼핑을 하던 A씨는 평소 갖고 싶어 하던 가방을 발견하고 신용카드로 계산하던 중 점원이 현지 통화로 결제할 것인지 아니면 한국 원화로 결제할 것인지 물어봐 별 생각 없이 원화로 결제했다. 그런데 귀국 후 카드 대금 청구서에 1050달러가 원화로 청구돼 자세히 확인해보니 가방가격 1000달러 외에 해외원화결제수수료(5%) 50달러가 포함돼 있어 현지통화로 결제했을 때보다 50달러를 추가 부담했다.

 

앞선 사례와 같이 해외에서 신용카드를 사용하다보면 불필요한 비용을 지불하거나 위조·도난 등의 사건에 휘말리는 경우가 생긴다. 이에 금융감독원이 해외에서 신용카드를 사용할 때 유의해야 할 점들을 안내했다.

 

금감원(원장 윤석헌)은 설 연휴 기간 중 해외여행을 떠나는 소비자에게 실질적인 도움을 주기위해 ‘해외에서 신용카드 이용시 유의사항’을 출국 전·여행 중·귀국 후에 유의해야할 점들로 나눠 31일 발표했다.

 

우선 출국 전에는 ‘해외원화결제서비스(DCC)’를 차단하는 게 바람직하다. A씨와 같이 해외에서 물품을 구매할 때 원화로 물품 대금을 결제할 경우 높은 원화 결제수수료(이용금액의 3%~8%)를 부담하므로, 출국 전에 차단해 불필요한 수수료 지급을 막기 위해서다.

 

카드 위·변조, 분실·도난 등에 따른 부정사용 예방을 위해서는 출국전 카드사 홈페이지 등을 통해 ‘카드 결제 알림문자서비스(SMS)’를 신청하면 도움이 된다. 카드 결제내역이 휴대폰 문자메시지로 안내돼 부정사용 여부를 바로 확인할 수 있기 때문이다.

 

단, 해외 여행지에서 유심칩을 구입해 사용하거나 출국전 데이터 로밍 차단을 신청한 경우 등에는 서비스 이용이 어려울 수 있다.

 

유럽 등 일부 국가는 카드 결제를 할 때 서명 대신 비밀번호 입력을 요구하기도 하며, 이 때 사용되는 비밀번호는 국내에서 사용 중인 비밀번호(4자리)와 다를 수 있다. 따라서 카드사에 문의해 해외 결제 비밀번호를 미리 확인해두는 것도 필요하다.

 

아울러, 여권 상의 영문이름과 카드상의 영문이름이 다르거나 카드 뒷면에 서명이 없으면 카드결제를 거부당할 수 있으므로 미리 확인해야 한다. 카드 분실·도난을 대비해 해당 카드사의 연락처를 미리 메모해 놓는 것도 중요하다.

 

여행 중에는 해외 노점상 등에서 카드로 결제할 때, 결제과정을 반드시 확인해야 한다. 카드를 위·변조하기 위해 카드를 다른 곳으로 가져가는 사례가 종종 발생하기 때문이다. 

 

이밖에 해외 여행을 마치고 귀국 후에는 카드사에 ‘해외 사용 일시 정지’ 또는 ‘해외 출·입국 정보활용 동의 서비스’를 신청하면 해외에서의 카드 정보 유출이나 분실·도난 등에 따른 부정사용을 방지할 수 있다. 

 

이와 관련, 금감원 관계자는 “‘해외 출·입국 정보활용 동의 서비스’를 신청하면 카드사와 출입국 관리사무소 간 카드소지자의 출입국 관련 정보가 공유된다”며 “카드사용자 본인이 국내에 있을 경우 카드사는 해외에서의 카드 승인을 거절한다”고 말했다.

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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