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황창규 KT 회장 “5G 등 혁신성장 약속...개인정보 규제 풀어달라”

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Tuesday, January 15, 2019, 18:01:55

문재인 대통령 초청 ‘2019 기업인과의 대화’ 참석..5G·AI·빅데이터 기술력 견인 의지 표해
비식별 개인정보로 AI·빅데이터 사업 활성화 성장 부탁..개인정보보호 규제 완화 직접 요청

인더뉴스 주동일 기자ㅣ 황창규 KT 회장이 문재인 대통령과의 만남에서 5G·AI·빅데이터로 국가 혁신성장을 견인하겠다고 약속했다. 다만, 개인정보보호 규제를 풀어달라고 대통령에 직접 건의했다. 

 

황창규 KT 회장은 15일 청와대 영빈관에서 진행한 ‘2019 기업인과의 대화’에 참석해 5G·AI·빅데이터 기술력으로 국가 4차산업혁명을 견인하겠다는 의지를 보였다.

 

첫 번째 질문자로 나선 황 회장은 “5G는 대한민국에서 가장 앞서 있는 기술로 4차 산업의 가장 중요한 핵심 인프라다”며 ”기업과 사회 전반에 대변혁을 일으킬 수 있는 기술이다”고 말문을 텄다.

 

이어 황 회장은 KT의 중소기업과 상생 사례를 소개했다. KT는 중소기업이 KT 5G 인프라를 활용해 함께 5G 서비스를 개발할 수 있는 ‘5G 오픈랩’을 지난 9월 구축했다. 이곳은 3개의 개발 공간과 전시 공간으로 구성해 참여사에 5G 기지국, 단말 등의 개발 인프라를 제공한다.

 

황 회장은 “KT는 연내 1000개 중소기업과 협업해 세계적인 히든 챔피언 육성에 나설 것“이라며 “5G 기반 스마트팩토리·스마트시티 보급을 위해 ‘정부-지자체-기업’이 함께 참여하는 ‘상생협력모델’ 만들어서 국가경제에 도움이 될 수 있도록 만들어가겠다“고 말했다.

 

국내 개인정보 규제에 대해선 완화해달라고 요구했다. 황 회장은 “데이터를 활용해 국민의 생명과 안전을 보호할 수 있는데, 지나친 개인정보 규제로 인해 빅데이터의 활용도가 떨어지고 있으니 규제 완화가 필요하다“고 건의했다. 

 

황 회장은 작년 로밍데이터를 통해 성공적으로 ‘중동호흡기증후군(메르스)’를 조기 종식한 사례를 설명했다. 지난 2015년 발생한 메르스의 경우 200여명의 사상자를 냈다. 하지만 작년 메르스 환자가 발생했을 때 감염자없이 조기에 수습된 바 있다. 

 

이 과정에서 KT와 보건당국가 보유한 데이터를 결합했다. 황 회장은 “메르스 발생 환자의 출입국 경로와 동승자 정보를 KT 해외로밍 데이터와 결합해 빅데이터·AI 분석 등을 통해 감염 가능성이 있는 대상자를 조기에 격리하고 집중 관리했기 때문“이라고 설명했다.

 

이어 그는 “데이터는 산업을 활성화 하고 경제를 살리는 것뿐만 아니라 국민의 생명을 보호하고 안전한 사회를 만드는 데 큰 도움이 되고 있다“면서 “현재 (개인정보보호 규제를 완화하는)법률이 국회에 계류돼 있는데, 이를 조속히 통과시켜 규제를 완화해 주길 바란다“고 덧붙였다. 

 

이와 관련, 유영민 과학기술정보통신부 장관은 “개인정보3법(개인정보보호법, 정보통신망법, 신용정보보호법)은 정부여당이 개정안을 발의해 국회에 계류 중인데 통과되면 규제샌드박스와 더불어 굉장히 가속화 될 것이다“고 말했다.

 

이어 “5G는 우리나라가 3월에 세계 최초로 상용화하는데 KT도 역할을 좀 많이 부탁드린다”며 “기업과 정부,여러 이해관계자들이 미래 먹거리 산업 측면에서 같이 머리를 맞대야 한다”고 당부했다.

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주동일 기자 jdi@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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