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[단독] 현대백화점, 손해배상청구 소송서 서울市 공무원에 일부 패소

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Wednesday, September 05, 2018, 11:09:08

서울시청 공무원 김정민 씨, 현대백화점 상대로 지난해 손해배상청구 소송 제기
신촌점 팝스트리트에 걸린 문구, 2009년 김 씨가 원작자..재판부 “저작권 침해 맞다” 인정

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 현대백화점이 서울시청 공무원(김정민 씨)과의 저작권법 침해를 둘러싼 손해배상소송에서 일부 패소했다. 

 

지난 2017년 김정민 씨는 현대백화점이 서울 신촌 유플렉스 지하 2층 '팝스트리트'에서 사용한 문구 중 '우리가 좀 더 청춘에 집중 했으면 좋겠어'라는 문구가 저작권 침해라고 주장했다. 하지만, 현대백화점이 "저작권 침해가 아니다"라고 맞서면서 소송이 시작됐다. 

 

지난 4일 서울중앙지방법원 민사소액집중심리부(주심 성기문 판사)는 김 씨가 현대백화점 대표이사 정지선 등 3명을 상대로 낸 저작권법(제125조 제1항)침해에 따른 손해배상소송 1심에서 일부 승소 판결을 내렸다. 

 

판결문에 따르면 원고(김정민씨)의 어문저작물인 '난 우리가 좀 더 청춘에 집중했으면 좋겠어'의 창작성을 살펴보면 사상, 용어의 선택, 리듬감, 음절의 길이, 문장의 형태 등에 비춰 독창적인 표현 형식으로 창작성이 인정된다고 판단했다. 

 

저작권법은 저작자의 어떠한 개성이 창작행위에 나타나 있으면 보호받기 충분한 것으로 규정하고 있다. 용어의 선택, 전체 구성의 궁리, 특징적인 표현이 들어 있고 작품의 표현방식, 내용, 목적, 표현상의 제약 유무 등 종합적으로 검토해서 원저작자의 권리보호 여부가 결정된다. 

 

현대백화점을 상대로 소송전을 시작한 김정민 씨는 지난 2009년 자신이 속해있던 인디밴드 '1984'의 첫 앨범에서 '난 우리가 좀 더 청춘에 집중했으면 좋겠어'라는 문구를 처음으로 사용했다. 

 

이후 8년이 지난 지난해 4월 현대백화점은 서울 신촌점 유플렉스 지하 2층 벽면에 청춘들을 응원하는 문구를 적은 네온사인을 걸었다. 이곳에 김 씨가 첫 사용했던 '난 우리가 좀 더 청춘에 집중했으면 좋겠어'라는 문구가 걸려 있었다. 

 

김 씨는 현대백화점에 "저작권 침해에 해당한다"는 내용증명을 보냈고, 회사의 공식적인 사과와 손해배상도 요구했다. 하지만 현대백화점은 "저작권 침해가 아니다"며 맞서면서 법률적 책임을 회피했다. 이에 김 씨는 작년 현대백화점을 상대로 1000만원 손해배상청구 소송을 냈고, 이 중 300만원을 인정받았다. 

 

재판부는 “해당 문구는 원고(김정민씨)가 발매한 음반의 겉면에 스티커로 부착된 것으로 '우리 조금 불안하더라도 인생에서 다시 없을 청년 시절을 충분히 만끽하고 즐기자'라는 사상이 표현됐다“고 판단했다. 

 

이어 재판부는 “피고(현대백화점)가 원고의 허락을 받지 않고, 신촌점 유플렉스 지하 '팝스트리트'라는 상품 판매 공간에서 네온사인 게시물 형태로 제작·사용해 저작권 침해로 손해배상책임이 인정된다“고 판시했다. 

 

이와 관련, 현대백화점은 일부 패소 사실을 인정했지만, 항소 여부를 결정하지는 않았다. 백화점 관계자는 “아직 판결문을 받아보지 못해서 추후 판결문을 읽어보고 판단할 예정이다”고 짧게 말했다. 

 

한편, 현대백화점은 지난 2012년 해외 유명 브랜드 가방과 기능·디자인이 비슷한 가방을 만들어 고객 사은품으로 제공해 '짝퉁 사은품' 논란에 휩싸인 바 있다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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