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호재 가득했던 천안시, 입주물량 폭탄은 예측 못 해

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Friday, August 31, 2018, 14:08:40

[박상용의 부동산 빅데이터] 2015년 KTX·SRT 등 천안아산역 호재↑..입주물량도 넘쳐나

[박상용 부동산 'GNOM' 대표] 이번에는 천안시 B아파트의 투자 사례에 대해 자세히 살펴본다. 천안시에 투자한 K씨는 다른 지역에 거주하고 있다. K씨는 B아파트 투자 배경으로 지하철 1호선, KTX, 2016년 12월 SRT 개통 등으로 이를 한번에 연결하는 천안아산역을 큰 호재로 봤다. 

 

마침 B아파트는 대형마트, 초등학교, 도서관, 대학교 등 상권도 형성돼 있었다. 역까지 가까운 거리인 데다 교육, 상권, 교통 등 입지적인 면에서 좋게 평가했다. 전세가율도 적당하다고 판단해 투자를 감행하게 된 것이다. 나름 괜찮은 분석이다. 다만, 놓친 부분이 없는지 살펴봐야 한다. 

 

투자 당시 아파트 주변 입지여건과 전세가율을 토대로 투자했기 때문에 향후의 입지와 전세가율 변화에 대한 예측이 부족했다. 예를 들어 향후 아파트 가격에 영향을 미칠 입주물량, 미분양 물량, 거래량 등은 살펴보지 않은 것이다. 

 

아래의 입주물량 차트를 살펴보면, 2015년 3분기(9월)부터 2018년 1분기까지 어마어마한 입주 물량이 예정돼 있다.

 

 

아파트 가격 하락의 3대 원칙(주변의 과도한 입주물량으로 공급이 많아져 미분양이 증가할 때, 단기간에 가격이 급등할 때, 외부적인 요인으로 국가 경제에 타격받은 경우)중 첫 번째에 해당하는 케이스였다. 

 

부동산 빅데이터 포털사이트 '그놈(GNOM)'에 따르면 입주물량의 적정량을 판단할 때 해당되는 시·군·구마다 적정한 가구수를 계산해 많고 적음을 분석한다. 당시 천안시의 적정 입주물량은 분기별로 642세대로 나타난다. 하지만, 실제로 훨씬 많은 입주물량이 존재했다. 

 

지역마다 적정 입주물량의 수치는 시·군·구마다 평균 연령과 증가하는 세대수에 따라 다르지만, 대략 인구수의 0.5%(또는 가구수 1%)를 기준으로 한다. 이 상수는 과거 매매가격 증감률이 변화되는 시점과 입주물량률을 비교해 보면서 찾아낸 수치다. 

 

2017년 10월은 한창 입주물량이 많이 예정돼 있다. 부동산 가격이 보합세이거나 하락할 수 있음을 예측할 수 있는 요인인 것이다. K씨가 투자한 아파트는 2년 사이 매매가격의 2%만 하락했지만, 천안시의 다른 아파트를 살펴보면 같은 시기 15%까지 떨어진 곳도 있다. 

 

여기서 중요한 사실을 알 수 있다. 아파트 투자 전 입지조건을 꼼꼼히 따져봐야 한다는 점이다. 위의 사례에서도 알 수 있듯이 아파트 가격이 하락하더라도 하락률이 낮기 때문이다. 다만, 아무지 입지가 좋은 곳이라도 지역 전반적으로 하락세라면 대세를 따를 수밖에 없다. 

 

다음 편에서는 순천시 아파트 투자 성공 사례에 대해 자세히 살펴본다. 

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박상용 부동산 'GNOM' 대표 기자 mirip@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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