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전세가율만 보고 투자했을 때 발생하는 일은?

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Monday, August 27, 2018, 06:08:00

[박상용의 부동산 빅데이터] 2015년 9월 순천시와 천안시 아파트 투자 사례 비교

[박상용 부동산 'GNOM' 대표] 부동산 빅데이터 기고도 막바지로 접어들고 있다. 그동안 부동산에 투자할 때는 '주위에서 귀동냥'이나 '본인의 감'보다는 데이터를 이용한 나만의 울타리를 만들 것을 권유했다. 두 가지엔 큰 차이가 있기 때문이다. 

 

특히 아파트에 투자하는 경우 대부분 갭투자(매매가격과 전세가격의 차익으로 아파트는 매입)를 진행한다. 해당하는 아파트 단지의 분위기와 가격을 살펴보다가 갭차이가 적을 때 투자하는 방식을 택한다.

 

 

갭의 하락, 즉 전세가율의 높이만 확인하고 투자했을 때 어떤일이 일어나는지 보자. 위의 표는 2015년 9월 비슷한 시기에 전라남도 순천시의 A아파트와 충청남도 천안시의 B아파트의 가격을 비교한 표다.

 

두 아파트는 전남과 충남이라는 지역의 차이는 있지만, 같은 평형대에 시세는 2억 중반, 전세가율도 76~78%로 비슷하다. 전세가율만 봤을 때 갭투자를 하기에 괜찮은 조건이다. 그렇다면 2년 뒤 아파트 가격의 변화는 어땠을까?

 

 

2015년 9월 두 개의 아파트에 각각 갭투자를 한 뒤 2017년 9월 가격을 살펴봤다. 순천시 A아파트는 2억 5600만원에서 3억 750만원으로 5150만원이 올랐다. 반대로 천안시 B아파트는 2억 5500만원에서 2억 5000만원으로 오히려 500만원이 하락했다. 

 

 

순천의 아파트에 투자했더라면 2년 뒤 5150(3억 750만원-2억 5600만원)만원의 시세차익을 얻게 된 것이다. 뿐만 아니라 들어갔던 투자금도 모두 회수하게 됐다. 편의상 중개수수료와 세금 등 부대비용을 제외했을 때 2년 전 투자금은 5600만원, 2년 뒤 전세가가 5750만원으로 올랐으니 투자금은 회수된 것이다. 

 

천안시에 있는 아파트에 투자했을 경우 2년 뒤 전세 시세가 전혀 오르지 않았기 때문에 투자금을 회수할 수 없다. 매매 시세가 500만원 떨어졌기 때문에 투자금을 회수하려면 결국 손해를 감수하고 아파트를 처분해야 한다. 

 

2년 전 두 아파트는 갭과 전세가율, 시세가 모두 비슷했지만 2년 뒤 결과는 전혀 달랐다. 만약 갭과 전세가율만 보고 투자했다면, B아파트에 투자는 실패였다고 볼 수 있다. 두 가지 조건(갭과 전세가율)만 보고 투자하는 것은 그만큼 위험이 따른다. 

 

이어 천안시 아파트와 순천시 아파트 투자 사례에 대해 데이터 분석 결과를 보여줄 예정이다. 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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박상용 부동산 'GNOM' 대표 기자 mirip@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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