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국내은행 상반기 순익 8.4兆...전년比 4%↑

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Thursday, August 16, 2018, 06:08:00

금감원, 국내은행 상반기 영업실적 발표..예대금리차 확대로 이자이익 10% 증가

 

[인더뉴스 정재혁 기자] 올해 상반기 국내은행의 당기순이익이 전년 동기 대비 증가했다. 금리 상승기에 예대금리차이가 확대되면서 이자이익은 작년 상반기보다 10% 가까이 늘었다.

 

금융감독원(원장 윤석헌)이 16일 발표한 ‘국내은행의 2018년 상반기중 영업실적’에 따르면, 올해 상반기 국내은행의 당기순이익은 8조 4000억원으로 전년 동기(8조 1000억원) 대비 3000억원 증가했다.

 

이자이익이 19조 7000억원으로 전년 동기(18조원) 대비 1조 7000억원(9.5%) 증가한 것이 크게 작용했다. 예대금리차이가 작년 상반기 2.01%에서 올해 2.08%로 확대되면서 순이자마진(NIM) 또한 전년 동기(1.61%) 대비 소폭 개선된 1.67%를 기록했다.

 

비이자이익은 3조원으로 전년 동기(4조 6000억원) 대비 1조 5000억원(33.4%) 감소했다. 작년 상반기중 일회성 주식매각이익이 발생했지만, 올해는 그 효과가 소멸됐다. IFRS9 적용으로 유가증권매매손익이 1조 3000억원 감소했다.

 

또한, 환율 변동 영향으로 외환‧파생관련이익이 7000억원 감소했다. 작년 상반기중에는 외화순부채 상황에서 환율이 크게 하락해 외환‧파생관련이익이 증가했지만, 올해는 환율 상승으로 관련 손익이 감소했다.

 

대손비용은 1조원으로 전년 동기(2조 7000억원) 대비 1조 7000억원(61.8%) 감소했다. 신규 부실이 줄고 부실채권을 정리했기 때문으로 풀이된다.

 

이밖에 영업외손익은 1000억원으로 전년 동기(5000억원)보다 4000억원 감소했고, 법인세 비용은 3조원으로 지난해 같은 기간보다 8000억원(35.5%) 늘었다. 과세표준 3000억원 초과 구간 세율이 작년 22%에서 올해 25%로 인상된 데 따른 것이다.

 

한편, 올해 상반기 국내은행의 총자산순이익률(ROA)은 0.69%, 자기자본순이익률(ROE)은 8.91%로 전년 동기(ROA 0.71%, ROE 9.01%) 대비 각각 0.02%p, 0.11%p 하락했다. 일반은행은 소폭 상승했지만, 특수은행의 하락폭이 더 컸다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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