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Column 칼럼

금리인상‧대출규제 환경과 정책서민금융의 역할

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Friday, June 22, 2018, 06:06:00

[최건호의 서민금융 바로알기] “서민 금융접근성 악화 때 정책서민금융 활용해야”

[최건호 서민금융진흥원 부원장] 전국동시지방선거가 진행된 지난 13일 미국 연방준비제도(Fed)는 기준금리 0.25%p 인상을 발표했다. 이에 따라 미국 기준금리는 기존 1.50~1.75%에서 1.75~2.0%로 상향 조정됐다.

 

미국의 본격적인 금리 인상으로 국내 금리도 상승이 불가피할 전망이다. 국내 대출금리는 이미 작년 하반기부터 상승세를 나타내고 있었는데, 한국은행에 따르면 예금은행 가계 신용대출 금리는 작년 8월 3.8%에서 올해 4월 4.5%로 0.7%p 상승했다. 이에 따라 서민·취약 계층의 이자 부담이 가중되고 있다.

 

더욱이 내달 23일부터는 상호금융권에 총부채원리금상환비율(DSR) 도입이 예정돼 있다. DSR은 신용대출을 포함하는 모든 가계대출 심사 때 채무자의 부채상환능력을 반영하는 여신심사 제도다. DSR은 무분별한 가계대출 확산을 방지할 수 있는 장점이 있지만, 저소득·저신용층의 대출 축소로 금융접근성을 악화시킬 우려도 있다.

 

금융권의 개인사업자대출에 대한 리스크 관리도 강화되고 있다. 개인사업자는 가계대출과 개인사업자대출을 통해 필요자금을 조달한다. 개인사업자대출은 일반 기업대출에 비해 소액·다계좌이기 때문에 포트폴리오 관리가 어려운 특성이 있다.

 

그럼에도 개인사업자대출 잔액은 2016년 말 기준 27조 7000억원에서 지난 4월 말 기준 49조원으로 크게 증가했다. 정부는 작년 말 개인사업자대출 잔액 200억원 이상의 상호금융조합을 대상으로 관리대상 개인사업자 업종의 대출한도를 설정하기로 했다. 이에 따라 자영업자에 대한 대출 공급이 축소될 우려가 있다.

 

하지만, 서민금융시장은 항상 ‘초과수요 상태’인 시장이다. 자금 수요가 많기 때문에 공급자 교섭력이 강한 시장이기도 하다. 대출을 원하는 서민·취약계층은 고금리를 부담할 수밖에 없는 상황인데, 시장금리의 인상과 가계부채정책 강화는 서민의 금융접근성을 더욱 악화시킨다.

 

정부는 서민 생활의 안정을 위해 저신용·저소득 서민을 대상으로 정책서민금융을 제공하고 있다. 제도권 금융에서 대출받기 어려운 서민의 금융애로 해소와 자활·재기를 지원하기 위해 다양한 금융·비금융 서비스를 제공하는 것이다.

 

정책서민금융의 금융서비스에는 미소금융, 햇살론, 바꿔드림론, 새희망홀씨가 있다. 비금융서비스에는 예비창업자와 자영업자를 대상으로 하는 창업 전·후 컨설팅, 미취업 청년과 일자리를 잃은 서민을 대상으로 하는 취업알선 서비스가 있다.

 

이밖에 상담 고객 중 금융과 복지의 사각지대에 놓인 분들에게는 지자체의 복지서비스를 연계해 드리고 있다. 그리고 금융서비스와 비금융서비스를 결합하여 서민·취약계층이 처한 상황에 따라 맞춤형으로도 제공하고 있다.

 

따라서 서민들이 정책서민금융의 금융·비금융 서비스를 적극적으로 활용해, 실질소득이 증가하고 생활도 안정되기를 바란다.

 

- 서민금융진흥원 최건호 부원장·경제학 박사

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최건호 서민금융진흥원 부원장 기자 mirip@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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