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‘음주·무면허·뺑소니사고’..車보험 혜택 제한

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Monday, May 21, 2018, 06:05:00

금감원, 車 운전 때 절대 불가 3가지 제시..보상 제한·과실비율 불리·보험가입특례 미적용 등

[인더뉴스 정재혁 기자] 음주·무면허·뺑소니 운전 중 사고를 내면 자동차보험에 가입돼 있더라도 보상이 제한되고, 과실비율 산정 때에도 불리한 것으로 나타났다. 또한, 자동차보험 갱신 때 보험료 할증이나 가입 제한을 당할 수도 있어 운전자들의 각별한 주의가 필요하다.   

 

21일 금융감독원(원장 윤석헌)은 보도자료를 통해 ‘자동차 운전 때 절대 하지 말아야 할 3가지’로 음주, 무면허, 뺑소니 운전 등을 제시했다. 이 3가지는 큰 피해를 유발하는 범죄행위임은 물론, 자동차보험에서도 큰 불이익을 받을 수 있다.

 

음주·무면허·뺑소니 운전자에 대한 자동차보험 불이익으로는 ▲일부 담보의 보상제한(음주·무면허) ▲과실비율 산정 때 불리(음주·무면허) ▲최대 400만원의 사고부담금 발생 ▲자동차보험 갱신 때 보험료 할증 및 가입 제한 ▲보험가입특례 미적용 및 법률지원특약 이용 불가 등이다.

 

 

먼저, 무면허 운전 중 사고로 타인이 죽거나 다친 경우 대인배상Ⅰ만 보상되고 대인배상Ⅱ는 보상되지 않는다. 타인 재물이 파손된 경우 대물배상 2000만원까지만 보상되며 이를 초과하는 손해는 보험처리가 불가해 본인 비용으로 배상해야 한다.

 

음주운전 중 사고는 무면허 운전과 달리 대인배상Ⅱ가 보상되며 대물배상 담보도 2000만원 초과 금액이 보상된다. 다만, 음주·무면허 운전 사고로 운전자 본인의 차량이 파손된 경우에는 자차담보로 보상되지 않아 본인 비용으로 수리해야 한다.

 

음주·무면허 운전자는 자동차사고 때 과실비율 산정에서도 불리하다. 기본 과실비율에 20%p(일부 조정 가능)만큼 추가로 가산되는 것. 과실비율이 높아지면 사고 상대방으로부터 받는 보험금 액수가 줄어들고, 향후 보험 갱신 때 보험료 할증 면에서도 불리하다.

 

보험사는 음주·무면허 운전 사고로 인해 피해자에게 보험금을 지급할 경우, 운전자에게 최대 400만원(대인사고 300만원, 대물사고 100만원)을 사고부담금으로 부과한다. 특히, 오는 29일부터는 뺑소니 운전자에 대해서도 같은 사고부담금이 적용된다.

 

이밖에 음주(2회 이상)·무면허·뺑소니 운전자는 보험처리 여부와 관계없이 보험료가 20% 이상 할증될 수 있다. 또한, 보험사는 해당 사고 경력이 있는 운전자가 보험을 갱신할 때 임의보험 인수를 거부할 수 있다. 이런 경우, 공동인수로 넘어가 보험료가 크게 상승할 수 있다.

 

아울러, 음주·무면허·뺑소니 운전자는 교통사고처리특례법을 적용받지 못 한다. 교통사고처리특례법은 교통사고를 낸 가해자가 종합보험에 가입한 경우 가해 운전자에 대해 형사처벌(공소제기)하지 못 하도록 정해놨는데, 이러한 특례 대상에서 제외된다는 뜻이다.

 

한편, 운전자는 자동차사고로 형사소송 등에 대비하기 위해 형사 합의금, 변호사 선임비용, 벌금 등을 보상해주는 법률비용지원특약에 별로 가입하기도 한다. 하지만, 음주·무면허·뺑소니 사고는 보험사의 면책 사항에 해당돼 보험금을 받을 수 없으니 유의해야 한다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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