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황각규 롯데 부회장 “지속성장 출발점은 인재 확보”

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Thursday, May 17, 2018, 10:05:48

롯데하이마트 신입 공채 면접 현장 찾아..신동빈 회장 대신 황 부회장이 그룹 안팎 챙겨
작년 신 회장 롯데케미칼 면접 방문해 지원자 격려..황 부회장, 청년 일자리 창출 노력 주문

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 신동빈 롯데그룹 회장이 구속수감된지 3개월이 넘어가면서, 공백을 메우느라 애쓰고 있다. 지난 2월부터 비상경영체제에 돌입한 롯데는 황각규 롯데지주 부회장이 신 회장을 대신해 신입사원 면접 채용장을 방문하는 등 그룹 안팎을 챙기고 있다. 

 

황각규 롯데지주 부회장은 지난 16일 롯데하이마트 신입사원 공개채용 면접 현장을 찾았다. 서울 강남구 롯데하이마트 본사에서 진행됐으며, 황 부회장이 지원자들을 직접 만난 것은 처음이다. 

 

이날 황 부회장은 현재 부재 중인 신동빈 회장을 대신해 롯데그룹의 신입사원 면접과정을 점검하기 위해 나선 것으로 풀이된다. 신 회장은 작년 롯데케미칼 하반기 공채 면접현장을 직접 방문해 예비 신입사원들을 격려했다. 

 

당시 롯데케미칼은 월드타워로 본사를 이전한 후 처음으로 내부에서 신입사원 공채 면접을 진행했다. 신 회장은 지주사 출범 이후 그룹 예비 신입사원들과 첫 만남 자리였다. 실무면접부터 임원면접까지 하루에 모두 끝마치는 '원스톱 면접' 진행과정을 점검했다. 

 

황각규 부회장도 이날 면접대기실에 들러 지원자들에게 롯데에 지원해 준 것에 대해 감사 인사를 전하고, 면접 선전을 응원했다. 역량면접과 토론면접 등을 하루에 끝마치는 ‘원스톱 면접’ 진행 과정을 살펴보고 면접관들을 격려했다.

 

황 부회장은 “고객이 원하는 가치를 창출하고, 사업 전반에 4차 산업기술을 적용한 혁신을 이루기 위한 출발점은 인재 확보다”며 “비록 경영환경의 불확실성이 높은 상황이지만, 지속가능한 성장을 인재에 대한 투자를 게을리해서는 안된다”고 말했다.

 

이어 황 부회장은 청년채용 확대를 위해 적극 노력해 줄 것을 인재운영 책임자들에게 주문했다. 그는 “청년 실업이 사회적 문제로 대두되는 만큼 기업의 사회적 책무로서 청년 일자리 문제 해결에 적극 동참해야 한다”고 강조했다. 

 

이와 함께 황 부회장은 공정하고 객관적인 심사시스템을 통해 직무 역량과 도전정신을 가진 우수 인재를 선발할 것을 당부했다. 

 

롯데는 지난 3월 상반기 신입사원 공개채용을 시작해, 현재 각 계열사별로 면접 전형을 진행 중이다. 롯데는 상반기 신입사원 공개채용과 하계 인턴사원 공개채용을 통해 1150명을 선발할 계획이다.

 

또한 롯데 고유의 블라인드 채용인 ‘롯데 SPEC태클 채용’을 지속 실시해 통해 능력중심 채용 문화 정착에도 앞장설 방침이다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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