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정책서민금융의 태동과 역사, 나아갈 방향

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Thursday, May 17, 2018, 06:05:00

[최건호의 서민금융 바로알기] “저소득층 서민들을 제도권 금융으로”

[최건호 서민금융진흥원 부원장] 미국의 경우, 1991년부터 취약계층의 고용창출과 생계유지를 위한 자금을 공급하고 있다. 주요 지원대상은 여성, 저소득층, 재향군인, 소수집단 등 영세 사업체를 운영하고 있는 서민·취약계층이다.

 

이들은 운전자금 및 설비자금 등의 자금을 최대 5만달러까지 대출 받을 수 있다. 또한 경영·기술지원과 같은 비금융서비스도 지원받을 수 있다.

 

이렇듯 ‘정책서민금융’이란 저신용·저소득 서민·취약계층을 대상으로 금융·비금융 서비스를 제공해 이들의 자활과 재기를 지원하는 정책 사업을 뜻한다. 국내에서는 지난 2016년 9월 23일 출범한 서민금융진흥원이 이 역할을 담당하고 있다. 

 

그런데, 따져보면 국내 정책서민금융은 이미 10여년 전부터 시작됐다고 할 수 있다. ‘태동기(2008년~2009년)’인 2008년 기존 소액서민금융재단을 미소금융중앙재단으로 확대·개편해 자영업자·예비창업자를 대상으로 소액대출을 제공하면서 ‘미소금융’이 시작됐다. 또한 같은 해에 다중채무자의 고통 경감을 위해 신용회복기금이 출범했다. 

 

정책서민금융의 ‘확대기(2010년~2015년)’에는 보증부 서민대출로서 상호금융·저축은행 공동브랜드인 ‘햇살론’과 은행의 서민금융상품인 ‘새희망홀씨’가 출시됐다. 2013년에는 국민행복기금의 출범으로 매입보유채권의 채무조정이 가능해짐에 따라 서민금융의 역할이 더욱 확대됐다.

 

정책서민금융의 ‘성숙기(2016년 이후)’인 2016년 9월에는 서민금융총괄기구로서 서민금융진흥원이 출범했다. 이에 따라 서민금융정책이 한층 체계화돼, 서민경제의 안전판으로서 기반을 다질 수 있었다.

 

진흥원 설립으로 기존 미소금융중앙재단, 한국자산관리공사, 신용보증재단중앙회 등에서 개별적으로 운영되던 정책서민금융 상품이 진흥원으로 통합됐다. 이를 통해 서민들에게 원스톱 서비스를 제공할 수 있게 됐다. 

 

담보력이 부족한 서민·취약계층은 금융기관에서 대출받기 어렵고, 받더라도 고금리를 부담해야 한다. 이러한 시장실패를 보완하기 위해 진흥원은 여러 가지 금융·비금융 서비스를 제공하고 있다. 

 

우선, 미소금융, 근로자햇살론, 바꿔드림론과 같은 금융서비스를 제공한다. 비금융서비스에는 창업예정자와 자영업자를 대상으로 하는 컨설팅, 미소금융 이용 예정자를 대상으로 하는 경영 관련 교육, 미취업 청년·실업 및 폐업으로 어려움을 겪는 서민을 대상으로 하는 일자리 연계 서비스가 있다. 

 

또한, 정책서민금융의 지원 대상이 되지 못하는 사람들에게는 지방자치단체의 복지지원을 받을 수 있도록 연계 해주는 복지연계서비스를 제공하고 있다. 

 

그런데, 앞으로 정책서민금융은 어떤 방향으로 나아가야 할 것인가?

 

통상 저신용·저소득 서민의 금융이용 일대기를 보면 ‘제도권 금융 이용→대출금 연체 후 금융채무불이행 등록→채무조정이용 및 성실상환→정책서민금융 이용 및 상환→제도권 금융 이용’ 등의 과정을 거치게 된다. 

 

따라서 이러한 서민이 금융이용 일대기상 어디에 해당하는지 확인한 후 최종적으로 제도권 금융에 안착할 수 있도록 지속적으로 서민금융 정책방향을 수립해야 할 것이다.

 

- 서민금융진흥원 최건호 부원장·경제학 박사

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최건호 서민금융진흥원 부원장 기자 mirip@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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